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橢偏儀在半導體CMP工藝量測的應用一、半導體CMP工藝背景芯片制造過程大致可以分為頂層設計、晶圓制造、封裝測試三大步驟，晶圓制造過程尤為復雜。晶圓制造主要包括7大流程，分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、化學機械拋光（Chemical-MechanicalPlanarization，簡稱CMP）、金屬化。不同特性芯片，工藝制程和技術節點要求也不同，這些工藝制程并不是按某單一順序執行，而是選擇性地重復進行。例如，每一片晶圓在生產過程中可能都會經歷幾道甚至幾十道的CMP工...

一、鈣鈦礦太陽能電池介紹太陽能電池是一種能將太陽能轉換為電能的光伏器件。太陽能電池可以應用于發電廠，照明，汽車，通風系統等商用和家用的場景。太陽能電池可以分為第一代、第二代和第三代電池。第一代電池也稱為傳統電池或晶硅電池，由商業上占主導地位的晶體硅制成，包括多晶硅和單晶硅等材料。第二代電池是薄膜太陽能電池，包括非晶硅，CdTe和CIGS電池。第三代太陽能電池包括多種薄膜技術，通常被稱為新興光伏技術。晶硅電池的理論極限效率為29.4%，考慮到光學與電學的實際可能的損失后,其實際...

反射透射測量儀是一種用于準確測定材料光學特性的精密儀器，主要用于測量樣品對光的反射率、透射率以及由此推算出的吸收率。它被廣泛應用于光學材料研發、薄膜鍍膜、半導體、光伏、建筑玻璃及各類新型材料的性能表征與質量控制。反射透射測量儀是基于光學的反射、透射現象：向待測樣品發射特定波長光線，分別測量被樣品反射的光強和透過樣品的光強，與入射光強對比后計算得到樣品的反射率和透射率。操作要點：定期校準與基線校正：測量前必須使用標準參考白板和空氣/空白基片對儀器進行校準，以消除光源波動和環境雜...

在半導體制造和精密加工領域，晶圓形貌量測是確保工藝良率、設備可靠性和器件性能的關鍵質量管控環節，可避免工藝過程中出現光刻失焦、設備碎片、鍵合空洞、刻蝕不均勻等一系列問題。TTV與翹曲度的測量是貫穿半導體前道工藝的核心幾何量計量，其本質在于通過對硅片宏觀三維形貌的嚴格管控，消除微觀電路制造過程中的物理不確定性，從而保障光刻對準、工藝均勻性、設備安全及最終產品的電性能與可靠性。頤光科技的MSM系列高精度晶圓形貌測量設備，可滿足晶圓形貌的高精度量測。MSM系列產品n技術原理n應用場...

中科大、河南大學與多倫多大學聯合團隊在《NaturePhotonics》發表研究，利用混合相CdZnSeS量子點中的偶極-偶極相互作用使量子點有效排列，增強了發光二極管中的光子外耦合。通過該技術突破平面QD-LED外量子效率30%的理論極限，實現35.6%的峰值外量子效率。DOI:10.1038/s41566-023-01344-4一、行業核心痛點長期以來，QD-LED的外量子效率（EQE）一直受限于光子出射耦合效率不足，通常只有大約30%的光子能逸出器件。傳統的各向異性納米...

膜厚測試儀是用于精確測量材料表面涂層、鍍層或薄膜厚度的精密儀器，覆蓋從納米到毫米級測量，廣泛用于半導體、汽車、電子、光學等行業。膜厚測試儀根據測量原理的不同，主要分為以下幾種類型：磁性法：適用于測量磁性基底上的非磁性涂層的厚度。通過測量磁場強度的變化來確定涂層的厚度。渦流法：適用于測量非磁性基底上的涂層厚度。通過在探頭中產生高頻交流電，產生渦流，渦流的強度和相位變化與涂層的厚度有關，從而可以測量涂層的厚度。超聲波法：通過發射和接收超聲波脈沖來測量涂層的厚度。超聲波在不同材料中...